SH8K37GZETB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SH8K37GZETB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8K37GZETB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 5,5A; Idm: 18A; 2W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:

SH8K37GZETB

Référence TME:

SH8K37GZETB

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.53 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.53 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.27 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.27 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.92 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.92 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.82 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.82 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.76 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.76 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.72 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.72 USD

Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.68 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.68 USD

Prix net pour les quantités de 5000 pcs - 0.65 USDPrix brut pour les quantités de 5000 pcs - 0.65 USD

Prix net pour les quantités de 30000 pcs - 0.61 USDPrix brut pour les quantités de 30000 pcs - 0.61 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	5,5A
Courant du drain dans l'impulsion	18A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	SOP8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	66mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	9,7nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD