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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	13A
Courant du drain dans l'impulsion	30A
Puissance de dissipation	5,8W
Boîtier	SOP8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	30mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	25nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

SH8K39GZETB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 60V; 13A; Idm: 30A; 5,8W; SOP8

Spécification

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