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SH8K41GZETB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 80V; 3,4A; Idm: 13,6A; 2W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8K41GZETB
Référence TME:
SH8K41GZETB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
3,4A
Courant du drain dans l'impulsion
13,6A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,16Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
12nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8K41GZETB
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