SH8KA2GZETB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SH8KA2GZETB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8KA2GZETB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 8A; Idm: 16A; 2,8W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:

SH8KA2GZETB

Référence TME:

SH8KA2GZETB

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.56 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.56 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.09 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.09 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.78 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.78 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.57 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.57 USD

Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.52 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.52 USD

Prix net pour les quantités de 5000 pcs - 0.48 USDPrix brut pour les quantités de 5000 pcs - 0.48 USD

Prix net pour les quantités de 7500 pcs - 0.46 USDPrix brut pour les quantités de 7500 pcs - 0.46 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	8A
Courant du drain dans l'impulsion	16A
Puissance de dissipation	2,8W
Boîtier	SOP8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	43mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	8nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD