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SH8M41GZETB

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 80/-80V; 3,4/-2,6A; 2W; SOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8M41GZETB
Référence TME:
SH8M41GZETB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80/-80V
Courant du drain
3,4/-2,6A
Courant du drain dans l'impulsion
10,4...13,6A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
160/310mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
6,6/8,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8M41GZETB
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