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SH8MA2GZETB

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 30/-30V; 4,5/-4,5A; Idm: 12A

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8MA2GZETB
Référence TME:
SH8MA2GZETB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
4,5/-4,5A
Courant du drain dans l'impulsion
12A
Puissance de dissipation
2,7W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
125/115mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
3/6,7nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8MA2GZETB
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