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SH8MA3TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 30/-30V; 7/-6A; Idm: 18A; 2,8W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
SH8MA3TB1
Référence TME:
SH8MA3TB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
7/-6A
Courant du drain dans l'impulsion
18A
Puissance de dissipation
2,8W
Boîtier
SOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
57/73mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
7,2/10nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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SH8MA3TB1
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