SI1016CX-T1-GE3

Name: VISHAY SI1016CX-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: SI1016CX-T1-GE3
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20/-20V; Idm: 2A

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:

SI1016CX-T1-GE3

Référence TME:

SI1016CX-T1-GE3

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.57 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.57 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.41 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.41 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.29 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.29 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.24 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.24 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.18 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.18 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.16 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.15 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.15 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantCarton = 3 000 pcs

Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N/P-MOSFET
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	20/-20V
Courant du drain	0,49/-0,49A
Courant du drain dans l'impulsion	2A
Puissance de dissipation	0,14W
Boîtier	SC89, SOT563
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	396/756mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	2/2,5nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD