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SI1024X-T1-GE3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 0,515A

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI1024X-T1-GE3
Référence TME:
SI1024X-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
0,515A
Courant du drain dans l'impulsion
0,65A
Puissance de dissipation
0,28W
Boîtier
SC89, SOT563
Tension entrée-source
±6V
Résistance en état de conduction
1,25Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
0,75nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates
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SI1024X-T1-GE3
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