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Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 0,515A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 0,65A | |
Puissance de dissipation | 0,28W | |
Boîtier | SC89, SOT563 | |
Tension entrée-source | ±6V | |
Résistance en état de conduction | 1,25Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 0,75nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |