SI1539CDL-T1-GE3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 30/-30V; 0,34W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI1539CDL-T1-GE3
Référence TME:
SI1539CDL-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30/-30V | |
Courant du drain | 0,7/-0,5A | |
Puissance de dissipation | 0,34W | |
Boîtier | SC70-6, SOT363 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 1,7Ω/525mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 3/1,5nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SI1539CDL-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.17 USD