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SI1553CDL-T1-GE3

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20/-20V; 0,34W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI1553CDL-T1-GE3
Référence TME:
SI1553CDL-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20/-20V
Courant du drain
0,7/-0,5A
Puissance de dissipation
0,34W
Boîtier
SC70-6, SOT363
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
1,35/1,13Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
3/1,8nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.021 g
Certificates
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SI1553CDL-T1-GE3
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs