SI1900DL-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 0,63A; 0,3W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI1900DL-T1-GE3
Référence TME:
SI1900DL-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 0,63A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1A | |
Puissance de dissipation | 0,3W | |
Boîtier | SC70-6, SOT363 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 0,7Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 1,4nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors multicanaux VISHAY,
* SI1900DL-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.31 USD