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SI1902CDL-T1-GE3

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 0,9A; 0,27W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI1902CDL-T1-GE3
Référence TME:
SI1902CDL-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
0,9A
Puissance de dissipation
0,27W
Boîtier
SC70-6, SOT363
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
0,235Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.021 g
Certificates

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SI1902CDL-T1-GE3
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs