SI1902DL-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 0,66A; 0,27W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI1902DL-T1-GE3
Référence TME:
SI1902DL-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 0,66A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1A | |
Puissance de dissipation | 0,27W | |
Boîtier | SC70-6, SOT363 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 0,63Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 0,8nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.01 g
Certificates
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* SI1902DL-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.36 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.36 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.32 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.29 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.29 USD
Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.27 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.27 USD