SI1922EDH-T1-BE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 1,2A; Idm: 4A
NOUVEAUTÉ
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI1922EDH-T1-BE3
Référence TME:
SI1922EDH-T1-BE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 1,2A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 4A | |
Puissance de dissipation | 1,25W | |
Boîtier | SC70-6, SC88, SOT363 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 198mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 2,5nC | |
Genre de canal | enrichi | |
Version | ESD |
Poids brut0.014 g
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* SI1922EDH-T1-BE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.14 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.14 USD