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Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	2,1A
Courant du drain dans l'impulsion	10A
Puissance de dissipation	0,86W
Boîtier	SOT23
Tension entrée-source	±8V
Résistance en état de conduction	57mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	3,5nC
Genre de canal	enrichi

SI2302CDS-T1-E3

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 2,1A; Idm: 10A

Spécification