SI3443BDV-T1-E3
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -3,6A; 1,1W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI3443BDV-T1-E3
Référence TME:
SI3443BDV-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -3,6A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -20A | |
Puissance de dissipation | 1,1W | |
Boîtier | SC74, TSOP6 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 0,1Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 9nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.026 g
Certificates
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* SI3443BDV-T1-E3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
6 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.47 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.47 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.32 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.29 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.29 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.26 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.26 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.23 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.23 USD
Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.22 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.22 USD
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs