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SI3473CDV-T1-GE3

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -12V; -8A; Idm: -20A

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI3473CDV-T1-GE3
Référence TME:
SI3473CDV-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-12V
Courant du drain
-8A
Courant du drain dans l'impulsion
-20A
Puissance de dissipation
4,2W
Boîtier
SC74, TSOP6
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
36mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
65nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.032 g
Certificates
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SI3473CDV-T1-GE3
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs