SI3473DDV-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -12V; -8A; Idm: -30A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI3473DDV-T1-GE3
Référence TME:
SI3473DDV-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -12V | |
Courant du drain | -8A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -30A | |
Puissance de dissipation | 3,6W | |
Boîtier | SC74, TSOP6 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 38,8mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 57nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SI3473DDV-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.17 USD
Prix net pour les quantités de 9000 pcs - 0.16 USDPrix brut pour les quantités de 9000 pcs - 0.16 USD