SI3552DV-T1-E3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 30/-30V; 1,15W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI3552DV-T1-E3
Référence TME:
SI3552DV-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30/-30V | |
Courant du drain | 2,5/-1,8A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -7...8A | |
Puissance de dissipation | 1,15W | |
Boîtier | SC74, TSOP6 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 360/175mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 3,6/3,2nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.029 g
Certificates
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* SI3552DV-T1-E3
Méthode d'emballage par le fabricant:Rouleau = 3 000 pcs