SI3552DV-T1-E3

Name: VISHAY SI3552DV-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: SI3552DV-T1-E3
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 30/-30V; 1,15W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:

SI3552DV-T1-E3

Référence TME:

SI3552DV-T1-E3

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.18 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.18 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 0.98 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 0.98 USD

Prix net pour les quantités de 25 pcs - 0.70 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 0.70 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.60 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.60 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.51 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.51 USD

Prix net pour les quantités de 250 pcs - 0.43 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 0.43 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.38 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.38 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.37 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.37 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N/P-MOSFET
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30/-30V
Courant du drain	2,5/-1,8A
Courant du drain dans l'impulsion	-7...8A
Puissance de dissipation	1,15W
Boîtier	SC74, TSOP6
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	360/175mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	3,6/3,2nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi