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SI3585CDV-T1-GE3

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20/-20V; 0,9/8W


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI3585CDV-T1-GE3
Référence TME:
SI3585CDV-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20/-20V
Courant du drain
3,1/-1,7A
Puissance de dissipation
0,9/8W
Boîtier
SC74, TSOP6
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
78/316mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
4,8/9nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.028 g
Certificates

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SI3585CDV-T1-GE3
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Méthode d'emballage par le fabricant:Rouleau = 3 000 pcs