SI3585CDV-T1-GE3

Name: VISHAY SI3585CDV-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: SI3585CDV-T1-GE3
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20/-20V; 0,9/8W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:

SI3585CDV-T1-GE3

Référence TME:

SI3585CDV-T1-GE3

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.81 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.81 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.60 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.60 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.42 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.42 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.36 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.36 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.26 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.26 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.23 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.23 USD

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.20 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.20 USD

Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.20 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.20 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N/P-MOSFET
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20/-20V
Courant du drain	3,1/-1,7A
Puissance de dissipation	0,9/8W
Boîtier	SC74, TSOP6
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	78/316mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	4,8/9nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi