SI4288DY-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 7,4A; 3,1W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI4288DY-T1-GE3
Référence TME:
SI4288DY-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 40V | |
Courant du drain | 7,4A | |
Puissance de dissipation | 3,1W | |
Boîtier | SO8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 20mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 4,9nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.158 g
Certificates
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* SI4288DY-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
3060 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.89 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.89 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.81 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.81 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.77 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.77 USD
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs