SI4564DY-T1-GE3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40/-40V; 8/-7,4A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI4564DY-T1-GE3
Référence TME:
SI4564DY-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 40/-40V | |
Courant du drain | 8/-7,4A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 40A | |
Puissance de dissipation | 2/2,1W | |
Boîtier | SO8 | |
Tension entrée-source | ±16V, ±20V | |
Résistance en état de conduction | 17,5/21mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 31/63nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.025 g
Certificates
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* SI4564DY-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 2 500)
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Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.64 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.64 USD