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SI4599DY-T1-GE3

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 40/-40V; 3,1/3W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI4599DY-T1-GE3
Référence TME:
SI4599DY-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N/P-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
40/-40V
Courant du drain
6,8/-5,8A
Puissance de dissipation
3,1/3W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
62/42,5mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
38/20nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.163 g
Certificates
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SI4599DY-T1-GE3
2249 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.33 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.33 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.04 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.04 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.91 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.91 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.65 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.65 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.57 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.57 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.43 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.43 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.38 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.38 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs