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Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N-MOSFET x2 + Schottky
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	25V
Courant du drain	8A
Courant du drain dans l'impulsion	30A
Puissance de dissipation	2,8W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±16V
Résistance en état de conduction	28mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	18nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

SI4670DY-T1-GE3

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolaire; 25V

Spécification