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SI4816BDY-T1-E3

Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; LITTLE FOOT®; unipolaire

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI4816BDY-T1-E3
Référence TME:
SI4816BDY-T1-E3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET x2 + Schottky
La technologie
LITTLE FOOT®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
4,6/6,5A
Puissance de dissipation
0,64/0,8W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
18,5/11,5mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
10/18nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
Half-Bridge Power MOSFET
Poids brut0.025 g
Certificates

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SI4816BDY-T1-E3
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Prix net pour les quantités de 5000 pcs - 0.67 USDPrix brut pour les quantités de 5000 pcs - 0.67 USD
Prix net pour les quantités de 7500 pcs - 0.64 USDPrix brut pour les quantités de 7500 pcs - 0.64 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 2 500)