SI4900DY-T1-E3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 60V; 5,3A; 3,1W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI4900DY-T1-E3
Référence TME:
SI4900DY-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 60V | |
Courant du drain | 5,3A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 20A | |
Puissance de dissipation | 3,1W | |
Boîtier | SO8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 72mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 20nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SI4900DY-T1-E3Nombre de pièces (Multiplication: 2 500)
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