SI4936BDY-T1-E3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 6,9A; 2,8W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI4936BDY-T1-E3
Référence TME:
SI4936BDY-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 6,9A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 30A | |
Puissance de dissipation | 2,8W | |
Boîtier | SO8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 51mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 15nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SI4936BDY-T1-E3Nombre de pièces (Multiplication: 2 500)
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