SI4936CDY-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 4,6A; 1,5W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI4936CDY-T1-GE3
Référence TME:
SI4936CDY-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 4,6A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 20A | |
Puissance de dissipation | 1,5W | |
Boîtier | SO8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 50mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 9nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.154 g
Certificates
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* SI4936CDY-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
2494 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.02 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.70 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.70 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.49 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.49 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.43 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.43 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.38 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.38 USD
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs