SI5513CDC-T1-E3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20/-20V; 4/-3,7A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI5513CDC-T1-E3
Référence TME:
SI5513CDC-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N/P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20/-20V | |
Courant du drain | 4/-3,7A | |
Puissance de dissipation | 3,1W | |
Boîtier | ChipFET8 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 255/85mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 5,6/4,2nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Boîtier - pouce | 1206 | |
Boîtier - mm | 3216 |
Poids brut0.001 g
Certificates
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* SI5513CDC-T1-E3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.31 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.31 USD