SI5922DU-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 6A; Idm: 24A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI5922DU-T1-GE3
Référence TME:
SI5922DU-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 30V | |
Courant du drain | 6A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 24A | |
Puissance de dissipation | 10,4W | |
Boîtier | ChipFET8 | |
Résistance en état de conduction | 24,5mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 15nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Boîtier - pouce | 1206 | |
Boîtier - mm | 3216 |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SI5922DU-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.24 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.24 USD