SI5935CDC-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -4A; 2W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI5935CDC-T1-GE3
Référence TME:
SI5935CDC-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -4A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -10A | |
Puissance de dissipation | 2W | |
Boîtier | ChipFET8 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 156mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 11nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Boîtier - pouce | 1206 | |
Boîtier - mm | 3216 |
Poids brut0.025 g
Certificates
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* SI5935CDC-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.42 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.42 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.36 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.36 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.27 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.27 USD
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