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SI6926ADQ-T1-E3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 3,6A; 1W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI6926ADQ-T1-E3
Référence TME:
SI6926ADQ-T1-E3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
3,6A
Courant du drain dans l'impulsion
20A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
TSSOP8
Tension entrée-source
±8V
Résistance en état de conduction
43mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
10,5nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.255 g
Certificates
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SI6926ADQ-T1-E3
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