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Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	21,1A
Courant du drain dans l'impulsion	60A
Puissance de dissipation	3,8W
Boîtier	PowerPAK® 1212-8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	7,8mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	21nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

SI7110DN-T1-E3

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 21,1A; Idm: 60A

Spécification