SI7252DP-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 100V; 29,2A; 29W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI7252DP-T1-GE3
Référence TME:
SI7252DP-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 100V | |
Courant du drain | 29,2A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 80A | |
Puissance de dissipation | 29W | |
Boîtier | PowerPAK® SO8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 21mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 27nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut1 g
Certificates
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* SI7252DP-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 1.00 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 1.00 USD