SI7288DP-T1-GE3

Name: VISHAY SI7288DP-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: SI7288DP-T1-GE3
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 20A; Idm: 50A

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:

SI7288DP-T1-GE3

Référence TME:

SI7288DP-T1-GE3

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.08 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.08 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.77 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.77 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.56 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.56 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.11 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.11 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.95 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.95 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.85 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.85 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	20A
Courant du drain dans l'impulsion	50A
Puissance de dissipation	15,6W
Boîtier	PowerPAK® SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	22mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	15nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi