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SI7465DP-T1-E3

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -60V; -3,2A; 0,94W


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI7465DP-T1-E3
Référence TME:
SI7465DP-T1-E3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
P-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-3,2A
Courant du drain dans l'impulsion
-25A
Puissance de dissipation
0,94W
Boîtier
PowerPAK® SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
64mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
40nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.161 g
Certificates
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SI7465DP-T1-E3
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs