SI7900AEDN-T1-E3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 8,5A; 3,1W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI7900AEDN-T1-E3
Référence TME:
SI7900AEDN-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 8,5A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 30A | |
Puissance de dissipation | 3,1W | |
Boîtier | PowerPAK® 1212-8 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 36mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 16nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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