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SI7938DP-T1-GE3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 40V; 60A; Idm: 80A

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI7938DP-T1-GE3
Référence TME:
SI7938DP-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
40V
Courant du drain
60A
Courant du drain dans l'impulsion
80A
Puissance de dissipation
46W
Boîtier
PowerPAK® SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
7mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
65nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.152 g
Certificates
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SI7938DP-T1-GE3
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.34 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.34 USD
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Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.33 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.33 USD
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Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.93 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.93 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs