SI7949DP-T1-E3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; -60V; -3,2A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI7949DP-T1-E3
Référence TME:
SI7949DP-T1-E3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -60V | |
Courant du drain | -3,2A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -25A | |
Puissance de dissipation | 0,94W | |
Boîtier | PowerPAK® SO8 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 64mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 40nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.1 g
Certificates
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* SI7949DP-T1-E3Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.70 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.70 USD
Prix net pour les quantités de 6000 pcs - 0.68 USDPrix brut pour les quantités de 6000 pcs - 0.68 USD