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SI7997DP-T1-GE3

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; -30V; -60A; 46W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI7997DP-T1-GE3
Référence TME:
SI7997DP-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
P-MOSFET x2
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-60A
Courant du drain dans l'impulsion
-100A
Puissance de dissipation
46W
Boîtier
PowerPAK® SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
7,8mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
160nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates
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SI7997DP-T1-GE3
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.58 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.58 USD
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Prix net pour les quantités de 250 pcs - 1.54 USDPrix brut pour les quantités de 250 pcs - 1.54 USD
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