SI8410DB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 5,7A; Idm: 20A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI8410DB-T2-E1
Référence TME:
SI8410DB-T2-E1
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 5,7A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 20A | |
Puissance de dissipation | 1,8W | |
Boîtier | MICROFOOT® 1.6x1.6 | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 68mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 16nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.001 g
Certificates
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* SI8410DB-T2-E1Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Produit sur commande spéciale