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SI8424CDB-T1-E1

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 8V; 10A; Idm: 25A


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI8424CDB-T1-E1
Référence TME:
SI8424CDB-T1-E1

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
8V
Courant du drain
10A
Courant du drain dans l'impulsion
25A
Puissance de dissipation
1,8W
Boîtier
MICROFOOT® 1.6x1.6
Tension entrée-source
±5V
Résistance en état de conduction
20mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
40nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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SI8424CDB-T1-E1
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