SI8487DB-T1-E1
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -30V; -6,4A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI8487DB-T1-E1
Référence TME:
SI8487DB-T1-E1
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -30V | |
Courant du drain | -6,4A | |
Puissance de dissipation | 1,8/0,73W | |
Boîtier | MICROFOOT® 1.6x1.6 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 45mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 80nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.021 g
Certificates
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* SI8487DB-T1-E1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs