SI8802DB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 8V; 3,5A; Idm: 15A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI8802DB-T2-E1
Référence TME:
SI8802DB-T2-E1
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 8V | |
Courant du drain | 3,5A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 15A | |
Puissance de dissipation | 0,9W | |
Boîtier | MICROFOOT® | |
Tension entrée-source | ±5V | |
Résistance en état de conduction | 135mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 6,5nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.001 g
Certificates
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* SI8802DB-T2-E1Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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