SI8817DB-T2-E1
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -2,9A; 0,9W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI8817DB-T2-E1
Référence TME:
SI8817DB-T2-E1
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -2,9A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -15A | |
Puissance de dissipation | 0,9W | |
Boîtier | MICROFOOT® | |
Tension entrée-source | ±8V | |
Résistance en état de conduction | 0,32Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 19nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.001 g
Certificates
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* SI8817DB-T2-E1Nombre de pièces (Multiplication: 3 000)
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Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.22 USDPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.22 USD