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Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	24V
Courant du drain	11A
Courant du drain dans l'impulsion	40A
Puissance de dissipation	5,7W
Boîtier	MICROFOOT®
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	37mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

SI8902AEDB-T2-E1

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 24V; 11A; Idm: 40A

Spécification