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SI9634DY-T1-GE3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 60V; 5A; Idm: 32A

NOUVEAUTÉ

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SI9634DY-T1-GE3
Référence TME:
SI9634DY-T1-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
5A
Courant du drain dans l'impulsion
32A
Puissance de dissipation
1,3W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
38mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
11nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates
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SI9634DY-T1-GE3
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