SI9926CDY-T1-GE3

Name: VISHAY SI9926CDY-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: SI9926CDY-T1-GE3
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; 20V; 6,7A; 2W; SO8

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:

SI9926CDY-T1-GE3

Référence TME:

SI9926CDY-T1-GE3

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.88 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.88 USD

Prix net pour les quantités de 5 pcs - 1.50 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 1.50 USD

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.31 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.31 USD

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.94 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.94 USD

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.82 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.82 USD

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.63 USD

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.58 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.58 USD

Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.53 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.53 USD

Prix net pour les quantités de 5000 pcs - 0.49 USDPrix brut pour les quantités de 5000 pcs - 0.49 USD

Prix net pour les quantités de 7500 pcs - 0.48 USDPrix brut pour les quantités de 7500 pcs - 0.48 USD

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs

Fabricant	VISHAY
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	TrenchFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	20V
Courant du drain	6,7A
Courant du drain dans l'impulsion	30A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±12V
Résistance en état de conduction	22mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	33nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi