SI9933CDY-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolaire; -20V; -4A; 3,1W
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SI9933CDY-T1-GE3
Référence TME:
SI9933CDY-T1-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | P-MOSFET x2 | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -20V | |
Courant du drain | -4A | |
Courant du drain dans l'impulsion | -20A | |
Puissance de dissipation | 3,1W | |
Boîtier | SO8 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 94mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 26nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut0.11 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors multicanaux VISHAY,
* SI9933CDY-T1-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
2621 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.02 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.02 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.70 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.70 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.49 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.49 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.43 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.43 USD
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.32 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.32 USD
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.30 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.30 USD
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs